– スーパーショートチャネルFET技術により、チップサイズを26%削減し、Rss(on)を31%改善 – バッテリー保護ソリューションを拡張– スーパーショートチャネルFET技術により、チップサイズを26%削減し、Rss(on)を31%改善 – バッテリー保護ソリューションを拡張

MagnachipがTri-Foldスマートフォンバッテリー保護用の新型24V BatteryFETを発売

2026/02/26 20:00
9 分で読めます

スーパーショートチャネルFET技術により、チップサイズを26%削減し、Rss(on)を31%改善

幅広いモバイル機器向けのバッテリー保護ソリューションを拡大

韓国・ソウル–(BUSINESS WIRE)–#BatteryFET–Magnachip Semiconductor Corporation(NYSE: MX、「Magnachip」)は本日、次世代三つ折りスマートフォンのバッテリー保護回路専用に設計された新しい第7世代24V MXT LV MOSFET1の発売を発表し、プレミアム折りたたみスマートフォン市場における存在感を強化しました。本製品は現在量産中で、実証された性能と信頼性を示し、世界的な大手スマートフォンメーカーに供給されています。

新たに発表された24V デュアルNチャネルMOSFET(MDWC24D058ERH)は、Magnachip独自のスーパーショートチャネルFET(SSCFET®)2技術を採用し、前バージョンと比較してチップサイズを約26%削減しました。これにより、メーカーはバッテリー保護回路モジュール(PCM)ボードの面積を20%以上削減でき、節約されたスペースをバッテリー容量の増加やよりスリムなデバイス設計に活用できます。

三つ折りスマートフォンは、2回折りたたみ、3つのディスプレイを同時に操作する新しいフォームファクターを特徴とし、高性能なマルチタスクを実現します。その結果、内部構造がより複雑になり、電力効率と信頼性が高まると同時に、設計においてますます重要になっています。したがって、これらのデバイスは、複雑な内部構造を管理しながら電力の安定性を確保するために、高度に統合された効率的なMOSFETソリューションを必要とします。

三つ折りスマートフォンに加えて、新製品はウェアラブル機器やタブレットを含む幅広いモバイルアプリケーションに適用できます。電力損失の主な原因であるRSS(on)を最大約31%削減し、発熱の低減に貢献します。新製品はまた、従来のトレンチプロセスと比較して単位面積あたりの電流密度を約48%向上させ、高電流条件下での安定した電圧制御をサポートします。さらに、2kV以上の静電気放電(ESD)保護を統合し、外部の妨害からバッテリーシステムを保護します。

市場調査会社Omdiaによると、スマートフォンバッテリーFETを含む40V以下のシリコンパワーMOSFET市場は、2025年の約42億ドルから2029年には約52億ドルに成長し、年平均成長率は約4.6%になると予想されています。この市場内では、三つ折りスマートフォンを含むプレミアムスマートフォンセグメントが、高性能・高効率コンポーネントへの需要の高まりに支えられ、成長を牽引すると期待されています。

「三つ折りスマートフォンは、先進技術と優れたコンポーネントの信頼性を必要とするハイエンドモバイル機器を代表しています」と、Magnachipの最高技術責任者(CTO)であるHyuk Woo氏は述べています。「この新しいMOSFET製品の供給を通じて、Magnachipのパワー半導体設計能力と技術競争力を改めて実証しました。今後も、継続的なイノベーションを通じて、スマートフォン、ウェアラブル、タブレットを含む幅広いモバイルアプリケーション向けのパワー半導体ポートフォリオを拡大していきます。」

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Power Solutions > MXT MOSFETs > 24V

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Magnachip Semiconductorについて

Magnachipは、産業、自動車、通信、民生、コンピューティングを含む様々なアプリケーション向けのアナログおよびミックスドシグナルパワー半導体プラットフォームソリューションの設計・製造企業です。同社は世界中の顧客に幅広い標準製品を提供しています。約45年の事業実績を持つMagnachipは、相当数の登録特許と出願中の特許を所有し、広範なエンジニアリング、設計、製造プロセスの専門知識を有しています。詳細については、www.magnachip.comをご覧ください。Magnachipのウェブサイト上の情報、またはウェブサイトを通じてアクセス可能な情報は、本リリースの一部ではなく、本リリースに組み込まれていません。

 

1 MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET):最新のトレンチプロセス技術に基づく、30V以下のMagnachipの低電圧MOSFET製品ファミリー。

2 SSCFET®(Super-Short Channel FET):低オン抵抗と高電流能力を実現するために、最小化されたチャネル長構造を適用したMagnachipのMOSFET設計技術。

連絡先

Mike Bishop
United States(Investor Relations)
Bishop IR, LLC
Tel. +1-415-891-9633
mike@bishopir.com

Kyeongah Cho
Global Marketing Communication
Magnachip Semiconductor
Tel. +82-2-6903-3179
pr@magnachip.com

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